原标题：IGBT国产化新布局：赛晶项目基地落户浙江嘉兴 定下2亿美元销售目标

华夏时报(www.chinatimes.net.cn)记者 肖超 陈锋 北京报道

IGBT(绝缘栅型双极型晶体管)国产化再迎新布局。

近日，由赛晶电力电子(0580.HK)子公司赛晶亚太半导体主导的IGBT功率半导体项目正式落地浙江嘉兴，并举行生产基地开工仪式。

据了解，赛晶IGBT生产基地位于嘉善经济技术开发区，生产线建设分两期执行。本次动工的一期项目占地34亩，规划建设2条IGBT芯片背面工艺生产线、5条IGBT模块封装测试生产线，建成后年产能达200万件IGBT模块产品。

对于具体的项目建设规划，赛晶方面向《华夏时报》记者表示，预计2020年底前厂房建设完成，2021年一季度第一条生产线试生产、第二条生产线投资启动，预计未来3至5年完成全部生产线建设。

“IGBT是目前应用技术最先进、应用最广泛的功率半导体器件，是众多国家重点发展的新兴技术领域的关键性基础元器件。赛晶作为国产技术研发和创新的先锋，我们的目标是打造出具备国际一流水平的国产IGBT。”赛晶集团董事长项颉称。

国产化之路待解

IGBT即绝缘栅型双极型晶体管，主要作用是进行交流电和直流电的转换、电压高低的转换，其作用类似于电脑的CPU。

在工业应用上，IGBT是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心器件，也是新能源汽车电机控制器、充电桩等设备的核心元器件。随着新能源发电行业的迅速发展，IGBT正逐步发展为中高端功率半导体器件的主流应用形态。

以纯电动新能源汽车的成本结构为例，动力电池以42%的占比位居第一，紧随其后的是电控系统，占比11%。而在电控系统中，IGBT成本占比达41%，是电控系统中最重要的构成器件。

作为电控核心部件，由于制造难度大，具有极高的技术壁垒，IGBT一直以来主要被欧美日企垄断。据中信证券(23.850, 0.77, 3.34%)研究部在2020年2月发布的研报显示，我国IGBT产品对外依赖度接近90%。

从全产业链来看，IGBT的前期资本开支大，中期制造良品率决定盈利能力，后端市场开拓也需要培育，国产替代过程仍然面临重重考验。

即便如此，在产业政策和市场需求的驱动下，IGBT国产化之路也在向前推进。国内厂商比亚迪(66.990, 0.25, 0.37%)(1211.HK)、中车时代电气(3898.HK)选择纵向一体化布局，而华虹半导体(1347.HK)、上海先进等专注晶圆制造，斯达半导(176.600, 3.60, 2.08%)(603290.SH)、宏微科技也在近年加注布局设计与封装环节。

四年目标2亿美元

西部证券(8.150, 0.17, 2.13%)研究所发布的研报援引IHS Markit的数据认为，2018年全球IGBT市场规模为62.4亿美元，中国市场规模为19.23亿美元，占全球市场规模比例达到30.82%。而随着中国在新能源领域持续大规模地投入，中国IGBT市场增速将快于全球，占比也将进一步提升。

在此背景下，赛晶电力电子自2016年起开始进行IGBT相关的研发性工作，并在2018年进入电动汽车用数字式IGBT驱动的领域。

在2019年3月的业绩交流会上，赛晶集团董事长项颉表示，集团的IGBT业务未来有三大财务目标：2020年实现年销售收入超过500万美元;2021年年销售3000万美元，达到盈亏平衡;2023年年销售收入超2亿美元，成为世界主流供应商之一。

项颉称，赛晶的优势来自于以前行业的生产厂家不多、真正掌握核心技术的也不多，而赛晶的研发团队实力过硬;且赛晶此前深耕半导体行业，所以非常了解客户的需求，并能做出快速反应。

据年报显示，赛晶在2019年启动了IGBT的自主研发项目，既有国内技术团队，也包括了来自欧洲知名企业的海外研发团队。因此，赛晶的研发支出也在2019年水涨船高，较前一年增加15%至6200万元，占当期净利润的4%。

赛晶表示，将全力推进IGBT项目的实施，尽快完成打造自主技术高端IGBT产品的战略目标，并使之成为公司长期发展的新动能。

责任编辑：麻晓超 主编：陈锋